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                  高壓(HV)集成電路ESD/LU防護設計技術(高階)
       .入.學.要.求.

            學員學習本課程應具備下列基礎知識:
            ◆電路系統(tǒng)的基本概念。

       .班.級.規(guī).模.及.環(huán).境
           為了保證培訓效果,增加互動環(huán)節(jié),我們堅持小班授課,每期報名人數(shù)限5人,多余人員安排到下一期進行。
       .上.課.時.間.和.地.點.
    上課地點:【上!浚和瑵髮W(滬西)/新城金郡商務樓(11號線白銀路站) 【深圳分部】:電影大廈(地鐵一號線大劇院站)/深圳大學成教院 【北京分部】:北京中山/福鑫大樓 【南京分部】:金港大廈(和燕路) 【武漢分部】:佳源大廈(高新二路) 【成都分部】:領館區(qū)1號(中和大道) 【沈陽分部】:沈陽理工大學/六宅臻品 【鄭州分部】:鄭州大學/錦華大廈 【石家莊分部】:河北科技大學/瑞景大廈
    近開課時間(周末班/連續(xù)班/晚班)
    高壓(HV)集成電路開課時間:2014年08月31日
       學時
         ◆課時: 共6天,36學時

            ◆外地學員:代理安排食宿(需提前預定) ☆注重質量 ☆邊講邊練

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        新 優(yōu) 惠 措 施
           ◆團體報名優(yōu)惠措施:兩人95折優(yōu)惠,三人或三人以上9折優(yōu)惠 。注意:在讀學生憑學生證,即使一個人也優(yōu)惠500元。
       .質.量.保.障.

            1、培訓過程中,如有部分內容理解不透或消化不好,可免費在以后培訓班中重聽;
            2、培訓結束后免費提供一個月的技術支持,充分保證培訓后出效果;
            3、培訓合格學員可享受免費推薦就業(yè)機會。

            高壓(HV)集成電路ESD/LU防護設計技術(高階)


    課程說明及重點

    高壓制程電子產(chǎn)品一般大的可靠性問題是靜電放電(ESD) 很差、閂鎖(LU)能力也很差,而且模擬高壓電路輸出端口又會占很大面積,這會影響使其ESD能力通常非常不佳。ESD)/LU破壞是影響IC可靠性的重要因素也是延緩產(chǎn)品上市的主因,因此無論由制程上、設計上全方位的防護措施是必要的。本課程是高壓集成IC ESD/LU防護設計上之實務課程,更是各高壓集成IC產(chǎn)品ESD可靠度防護上熱門的技術。

    本課程將從各種HV CMOS元器件、晶圓廠技術平臺、HV組件的汲極工程、高壓元器件ESD/LU能力如何測試介紹起,進而談論HV CMOS 的各電性、可靠度缺點、晶圓廠HV ESD/LU 防護設計法則及各種ESD/LU保護策略及如何保護HV LDMOS與HV 集成電路ESD/LU防護實際案例分析,后期許學員能對HV制程工藝及組件結構充分理解,并熟悉HV IC靜電防護及LU免疫設計之防制意義。

    授課對象

    現(xiàn)職從事模擬IC與電子產(chǎn)品之RD設計、布局、制造、產(chǎn)品應用與品管、品保、FA相關技術人員 (對ESD/LU防護已有認識者)。

    課程大綱


    第一階段 :

    I. High-Voltage CMOS Devices

    ◎ What’s an HV Technology ?

    ◎ How These Products Use the HV Process ?

    ◎ Foundry Technology Platform

    II. Device Engineering for HV Devices

    ◎ Basic Concepts of an HV IC

    ◎ Well Engineerings

    ◎ Electrical Behaviors

    III. HV ESD/LU Testing Issues

    ◎ How to Do an HV IC ESD Testing ?

    ◎ How to Do an HV IC Latch-up Testing ?

    第二階段:

    III. Weakness Issues in the HV CMOS Process

    ◎ High Resistive ESD Element Influence

    ◎ Intrinsic HV nMOS Reliability Problem

    ◎ Why ESD Level of the HV-CMOS I/O Protection Circuit is So Bad ?

    ◎ How About the Occurred Failure Mode in the HV CMOS ?

    ◎ HV Multi-Finger O/P nMOS Driver Protection Challenge

    ◎ Impact of Low-Holding-Voltage Issue in HV CMOS Technology

    IV HV ESD/LU Rules (ex: 5V/30V/40V)

    ◎ Foundry HV ESD Design Rules

    ◎ Foundry HV LU Design Rules

    V. Some Strategies of ESD/LU Protection Design in a HV CMOS Process

    ◎ How to Improve Low Vh ?

    ◎ How to Adjust Vt1 ?

    ◎ How to Guarantee That Vt2 >Vt1 ?

    ◎ How About the Single Finger Width Effect ?

    ◎ Which One Device Is More Better ?

    ◎ How About the N-Well Effect in a HV Drain Side ?

    Day 3:

    VI. How to Protect the HV LDMOS?

    ◎How to Do a Good ESD Immunity in the HV LDMOS?

    ◎ESD Protection Methods & Patents for the HV LDMOS

    VII. (HV ESD/LU Cases Study)

    VIII. Summary

     
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